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IRL1404ZPBF  与  IPP041N04N G  区别

型号 IRL1404ZPBF IPP041N04N G
唯样编号 A-IRL1404ZPBF A-IPP041N04N G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 5.9 mOhm 110 nC 230 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@75A,10V 4.1mΩ
零件号别名 - IPP041N04NGHKSA1 IPP041N04NGXKSA1 SP000680790
上升时间 - 3.8 ns
栅极电压Vgs ±16V 20V
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 200A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 4.8 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5080pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 94W
典型关闭延迟时间 - 23 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5080pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 5V -
典型接通延迟时间 - 16ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL1404ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.1mΩ@75A,10V N-Channel 40V 200A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRL1404PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 160A TO-220AB

暂无价格 0 对比
PSMN2R8-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-40PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 40V 100A

¥11.4842 

阶梯数 价格
20: ¥11.4842
50: ¥9.5702
0 对比
IPP041N04N G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP041N04NGXKSA1_40V 80A 4.1mΩ 20V 94W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPP041N04NGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP041N04N G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PSMN2R8-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-40PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 40V 100A

暂无价格 0 对比

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